ιδιότητες του προϊόντος
ΤΥΠΟΣ
ΠΕΡΙΓΡΑΦΩ
κατηγορία
Διακριτά Προϊόντα Ημιαγωγών
Τρανζίστορ – FET, MOSFET – Μονό
κατασκευαστής
Infineon Technologies
σειρά
CoolGaN™
Πακέτο
Ταινία και καρούλι (TR)
Διάτμηση ζώνης (CT)
Προσαρμοσμένο καρούλι Digi-Reel®
Κατάσταση προϊόντος
διακόπηκε
Τύπος FET
Ν κανάλι
τεχνολογία
GaNFET (νιτρίδιο γαλλίου)
Τάση πηγής αποστράγγισης (Vdss)
600V
Ρεύμα στους 25°C – Συνεχής αποστράγγιση (Id)
31A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)
-
Επί της αντίστασης (μέγ.) σε διαφορετικό Id, Vgs
-
Vgs(th) (μέγιστο) σε διαφορετικά αναγνωριστικά
1,6V @ 2,6mA
Vgs (μέγ.)
-10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) σε διαφορετικά Vds (μέγ.)
380pF @ 400V
Λειτουργία FET
-
Διαρροή ισχύος (μέγ.)
125 W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
τύπο εγκατάστασης
Τύπος επιφανειακής βάσης
Συσκευασία Συσκευών Προμηθευτή
PG-DSO-20-87
Πακέτο/Περίβλημα
20-PowerSOIC (0,433″, πλάτος 11,00mm)
Βασικός αριθμός προϊόντος
IGOT60
Μέσα και Λήψεις
ΕΙΔΟΣ ΠΟΡΟΥ
ΣΥΝΔΕΣΜΟΣ
Προδιαγραφές
IGOT60R070D1
Οδηγός επιλογής GaN
CoolGaN™ 600 V e-mode GaN HEMTs Σύντομη
Άλλα σχετικά έγγραφα
GaN σε Προσαρμογείς/Φορτιστές
GaN σε Server και Telecom
Πραγματικότητα και Πιστοποίηση του CoolGaN
Γιατί CoolGaN
GaN στην ασύρματη φόρτιση
αρχείο βίντεο
Πλατφόρμα αξιολόγησης μισής γέφυρας HEMT CoolGaN™ 600V e-mode με GaN EiceDRIVER™
CoolGaN™ – το νέο παράδειγμα ισχύος
Πίνακας αξιολόγησης PFC με πόλο τοτέμ 2500 W με πλήρη γέφυρα με χρήση CoolGaN™ 600 V
Προδιαγραφές HTML
CoolGaN™ 600 V e-mode GaN HEMTs Σύντομη
IGOT60R070D1
Ταξινόμηση Περιβάλλοντος και Εξαγωγών
ΓΝΩΡΙΣΜΑΤΑ
ΠΕΡΙΓΡΑΦΩ
Κατάσταση RoHS
Συμβατό με τις προδιαγραφές ROHS3
Επίπεδο ευαισθησίας σε υγρασία (MSL)
3 (168 ώρες)
Κατάσταση REACH
Προϊόντα που δεν είναι REACH
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
